在電子束曝光下使用納米位移臺時，樣品可能會受到電子束的熱影響。為了避免或降低這種影響，可以采取以下措施：
使用低電子束能量： 降低電子束的能量可以減少其在樣品上產(chǎn)生的熱效應(yīng)。選擇適當(dāng)?shù)碾娮邮铀匐妷?，使其保持在相對較低的水平，以減少熱損耗。
限制曝光時間： 減少電子束照射的時間，以降低樣品的熱積累。將曝光時間限制在必要的節(jié)點(diǎn)，以獲得所需的成像或分析結(jié)果。
使用脈沖電子束： 如果設(shè)備支持，可以考慮使用脈沖電子束而非連續(xù)電子束。脈沖電子束照射時間短，有助于減少熱傳導(dǎo)到樣品的程度。
散熱： 提供樣品附近的有效散熱系統(tǒng)，以幫助快速冷卻樣品表面。這可以通過空氣或液體冷卻系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)。
使用導(dǎo)熱性好的樣品支持： 選擇具有較好導(dǎo)熱性的樣品支持，以幫助迅速傳遞熱量，防止在樣品上產(chǎn)生過多的熱積累。
考慮樣品固定： 在進(jìn)行電子束曝光之前，可以考慮使用合適的固定劑或支撐結(jié)構(gòu)來確保樣品的穩(wěn)定性。這有助于減小因電子束造成的振動和熱效應(yīng)。
避免高電流密度： 盡量避免使用高電子束的電流密度。選擇適當(dāng)?shù)氖鳎詼p小對樣品的熱影響。
監(jiān)測溫度： 在實(shí)驗(yàn)過程中監(jiān)測樣品的溫度。使用溫度監(jiān)測設(shè)備，如紅外熱像儀或熱電偶，以實(shí)時監(jiān)測樣品的溫度，確保不超過安全范圍。
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