納米位移臺(tái)掃描軌跡彎曲時(shí)，要判斷原因，核心是區(qū)分機(jī)械因素、控制因素和環(huán)境因素，不同品牌或類(lèi)型的位移臺(tái)表現(xiàn)差異很大，判斷方法也略有不同?？梢园聪旅鎺讉€(gè)方向分析。
1. 判斷機(jī)械誤差
手動(dòng)或緩慢單軸運(yùn)動(dòng)測(cè)試：先讓 X、Y 分別單軸運(yùn)動(dòng)一段固定距離，觀察軌跡是否直。
彎曲沿固定方向重復(fù)出現(xiàn)，通常是導(dǎo)軌不平直、絲桿彎曲、鉸鏈或支撐變形。
機(jī)械載荷或偏心裝載也會(huì)讓運(yùn)動(dòng)方向產(chǎn)生偏移，可嘗試重新居中負(fù)載或減輕重量。
2. 判斷控制誤差
開(kāi)環(huán)驅(qū)動(dòng)容易產(chǎn)生累積偏差：同樣指令下，軌跡可能沿某方向彎曲。
檢查 PID 或閉環(huán)參數(shù)：比例、積分、微分增益不當(dāng)，會(huì)導(dǎo)致橫向耦合或過(guò)沖，表現(xiàn)為彎曲軌跡。
對(duì)多軸臺(tái)，X 運(yùn)動(dòng)引起 Y 微位移，Y 運(yùn)動(dòng)引起 X 微位移，也會(huì)出現(xiàn)彎曲，需要做耦合補(bǔ)償。
3. 判斷環(huán)境因素
臺(tái)面震動(dòng)、溫度梯度或空氣流動(dòng)可能導(dǎo)致微米/納米級(jí)偏移，尤其在慢速長(zhǎng)行程掃描中容易出現(xiàn)彎曲軌跡。
電磁干擾可能影響閉環(huán)傳感器信號(hào)，造成局部偏移。
4. 判斷方法總結(jié)
單軸測(cè)試：先在 X 或 Y 單獨(dú)運(yùn)動(dòng)，看軌跡是否直。
對(duì)比不同速度：慢速和中速運(yùn)動(dòng)軌跡差異，如果低速更彎曲，多半是摩擦或爬行；高速?gòu)澢?，偏向控制或慣性問(wèn)題。
檢查重復(fù)性：重復(fù)同一軌跡多次，偏差是否一致。機(jī)械因素表現(xiàn)為重復(fù)偏移一致，控制或環(huán)境因素偏差可能隨機(jī)或與速度/方向相關(guān)。